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    [description] => Recientemente, esta colaboración trasatlántica [entre la Association Puya Raimondí y las universidades de América Latina y España] ha marcado un hito con la publicación en México de Física de semiconductores y componentes electrónicos ya que presenta un panorama completo y actual sobre la física de semiconductores y de los componentes electrónicos.  La obra ha sido muy comentada y citada pues ofrece a los estudiantes y jóvenes investigadores un instrumento de consulta sobre temas complejos. El dominio de los fenómenos físicos de los componentes electrónicos es imprescindible para la consolidación de una tecnología industrial competitiva en México. Física de semiconductores no solamente es el más completo manual de estudio básico en este campo de la ingeniería sino, también, el que proporciona de manera detallada y precisa los conocimientos necesarios para el manejo de los avances técnicos más recientes y de los efectos físicos que intervendrán en el diseño de los componentes electrónicos del futuro. La industria aeronáutica, espacial y petrolera de nuestro país puede contar con la sólida formación teórico-práctica de sus jóvenes ingenieros gracias este exhaustivo manual.
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Henry Mathieu
Es profesor en la Universidad de Montpellier II en Francia.
Es ingeniero en el CEA-LETI (Instituto de la Comisión para la Energía Atómica y Energías alternativas), donde es encargado de investigación y desarrollo sobre la instrumentación biomédica. Además, está al frente de las cooperaciones científicas y las acciones de formación en el polo MINATEC (Micro and Nanotecnologies Innovation Campus) de Grenoble, Francia.
    [toc] => Prólogo a la edición francesa... Prólogo a la presente edición... 1. Nociones fundamentales de física de semiconductores... 1.1. Estructura cristalina... 1.2. Estados electrónicos en los semiconductores — Estructura de bandas de energía... 1.3. Estadísticas — Función de distribución de los electrones... 1.4. El semiconductor en equilibrio termodinámico... 1.5. El semiconductor fuera del equilibrio... 1.6. Interfaz entre dos materiales diferentes...  1.7. Las fuentes de ruido en los semiconductores... 2. La Unión PN... 2.1. Unión abrupta en el equilibrio termodinámico... 2.2. Unión abrupta polarizada... 2.3. Unión con perfil de dopado cualquiera...  2.4. Capacitancias de la unión pn... 2.6. Mecanismos de generación—recombinación en la zona de carga espacial ... 2.6. Unión en régimen transitorio -Tiempo de recuperación... 2.7. Rompimiento de la unión polarizada en inverso... 2.8. Unión en régimen de fuerte inyección...  	3. Transistores bipolares... 3.1. El efecto transistor... 3.2. Ecuaciones de Ebers—Moll...  3.3.	Diferentes tipos de perfil de dopaje... 3.4. El efecto Early... 3.5. Modelo dinámico y etapas en el transistor... 3.6. Fuentes de ruido en un transistor... 4. Contacto metal—semiconductor Diodo Schottky... 4.1. Diagrama de bandas de energía... 4.2. Región de carga espacial... 4.3. Característica corriente—tensión... 5. Estructura metal—aislante—semiconductor... 5.1. Diagrama energético... 5.2. Potenciales de contacto... 5.3.	El modelo eléctrico de base... 5.4. El régimen de inversión fuerte... 5.5. El régimen de inversión débil... 6. Heterouniones y el transistor de heterounión... 6.1. Diagrama de bandas de energía... 6.2. Heterounión en equilibrio termodinámico... 6.3. Heterounión polarizada... 6.4. Transistor de heterounión — HBT...  7. Transistores de efecto de campo JFET y MESFET... 7.1. Transistor de efecto de campo de unión — JFET... 7.2. Transistor de efecto de campo de barrera de Schottky MESFET... 7.3. Transistor MESFET — GaAs... 8. 	El transistor MOSFET y su evolución... 8.1. Principio de base e histórico... 8.2. Cómo se modifica la estructura MOS... 8.3. El modelo de canal largo... 8.4.  El modelo de canal corto... 8.5. El funcionamiento dinámico del MOS...	8.6. Los modelos del transistor MOSFET... 8.7. El ruido del transistor MOS... 8.8. Aplicaciones del MOSFET...  9. Componentes optoelectrónicos... 9.1. Interacción radiación — semiconductores... 9.2. Fotodetectores... 9.3. Semiconductores emisores de radiación... 9.4. Aplicaciones de componentes ópticos... 10. Efectos cuánticos en los componentes, pozos cuánticos y superredes... 10.1. Efectos cuánticos en las heterojunturas y las estructuras MIS.... 10.2. Pozos cuánticos... 10.3. Superred... 10.4. Transistor a efecto de campo en gases de electrones bidimensionales—TEGFET...  11. Fabricación colectiva de componentes y de circuitos integrados... 11.1. La litografía... 11.2. Los procesos de retiro de materiales... 11.3. Los procesos de agregado de materiales... 11.4. Diagrama de flujo simplificado para la tecnología CMOS... 11.5. Los procesos alternativos... 12. Componentes cuánticos... 12.2. Transporte perpendicular en las estructuras cuánticas... 12.3. Láseres de pozos cuánticos... 12.4. Bloqueo de Coulomb y sistemas de pocos electrones... 12.5. Nanotubos y nanohilos...
13. Los semiconductores de gran gap, componentes de alta	temperatura... 13.1. Las soluciones tecnológicas... 13.2. Los semiconductores de gran gap... 13.3. Los componentes optoelectrónicos de longitud de onda corta... A. Anexos... A.1. Coeficiente de transmisión de una barrera de potencial. Método BKW... A.2. Linearización de la función de distribución de Fermi... A.3. Efecto Hall... A.3.1. Modelo simple... A.3.2. Modelo elaborado... A.3.3. Magnetoresistencia... A.3.4. Efecto Hall cuántico... A.4. Anclaje del nivel de Fermi por los estados de superficie... A.5. Cálculo de la corriente en una estructura MOS... Constantes físicas... Bibliografía... Índice analítico.
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